DDR5-4800内存怎么会和昂贵的DDR5-6000套件一样好？

随着主流平台DDR5内存的推出，关于新内存标准是否值得大肆宣传的讨论由来已久。

快速DDR5内存套件价格昂贵，但超频Rauf展示了入门级套件如何通过优化子时序提供类似的性能。

好吧，来自瑞典的极端超频玩家Tobias bergstrom aka Rauf分享了一些有趣的数据给那些不知所措的人，是买标准的DDR5-4800套件还是那些超频严重的套件。高端内存套件不仅价格昂贵，而且由于PMIC的短缺也很难买到。这也将影响根据JEDEC规范运行的低端套件。然而，这些套件几乎可以在所有的原始设备制造商电脑上找到，其中一些也可以在零售领域找到。

超频几乎实现了华清Z690 AQUA OC主板上DDR5-8000的超频和风冷。

Rauf在Nordichardware的一篇详细文章中解释说，DDR5内存中有三种DRAM样式。DRAM IC来自美光、三星、海力士。目前，Micron是其DDR5 DRAM的基线标准，并不提供很多超频功能，所以他们的套件大部分停留在DDR4-4800 (CL38)。三星DDR5 DRAM IC居中，大部分内存套件的传输速度都在DDR5-5200-6000之间，而海力士提供了最好的DRAM IC，速度高于DDR5-6000。

我们还看到，虽然DDR5提供了更高的传输速度，但由于时序宽松，在某些应用中性能并不是很好。因此，大多数DDR4和DDR5内存套件都提供了相同的性能，但英特尔的优化平台(如Alder Lake)可以从中受益，因为DDR5有四个通道，而DDR4有两个通道。但回到廉价和高端套件，Rauf已经证明，只需调整Micron套件的子时序，就能产生与高端三星和海力士套件相当的性能。

首先，Rauf分享了以下三个套件的性能差异：

AMD RAMP是AMD锐龙7000 CPU的XMP，可以在AM5平台上加速DDR5内存。

pcdd r5-4800(C38-38-38-77 @ 1.1V)-微米

G.技能DDR 5-6000(C40-40-40-76 @ 1.3V)-三星

DDR 5-6133(C40-40-40-76 @ 1.1V)-海力士

Micron、三星和Hynix DDR5的内存性能与华硕OC配置文件进行了比较。(图片来源：Nordichardware)

Micron、三星和Hynix DDR5的内存性能与华硕OC配置文件进行了比较。(图片来源：Nordichardware)

Rauf使用了Geekbench 3基准测试，这对于确定内存性能非常有用，并指出虽然内存得分高于DDR4，但对游戏等应用影响最大的还是整数性能。在这种情况下，三星和海力士套件的内存性能比Micron套件高28%，但整体性能提升只有5-8%。

然后，超频用户使用了ROG Maximus Z690 APEX等高端Z690主板上的优化配置文件。优化的配置文件是：

pcdd r5-5200(C36-39-35-55)-微米

G.技能DDR 5-6000(c32-35-35-52)-三星

ESR 5-6133(C30-37-37-28)-海力士